Elpida первыми в отрасли разработали процесс 25 нм для производства DRAM

Пресс-релиз: Elpida переходит на производства памяти DRAM по технормам 25нм

Комментариев еще нет

Токио, Япония, 2 мая 2011.

Компания Elpida Memory, ведущий поставщик динамической памяти произвольного доступа (DRAM) в мире, объявила о завершении разработки памяти DDR3 SDRAM плотностью 2 Гбит с использованием производства по технормам 25 нм. Использование самых передовых технологических процессов позволило компании Elpida достигнуть наименьшего размера микросхем 2-гигабитной памяти SDRAM в отрасли.

По сравнению с 30-нм процессом производства памяти, переход на новые технические нормативы сократил площадь ячейки на 30%. Выход из пластины кристаллов 2-гигабитной памяти DDR3 SDRAM увеличился 30%.

Новинка дает возможность поддержать экологию, путем снижения энергопотребления ПК и цифровой потребительской электроники. По сравнению с 30-нанометровой памятью Elpida, необходимый ток потребления на 15% меньше в активном режиме и на 20% меньший в режиме ожидания.

Затраты на структурные изменения, необходимые для перехода производства с технических нормативов 30 нм на 25 нм, были сведены к минимуму, что позволяет в полной мере использовать финансовые средства для наращивания объемов производства по технормам 25нм.

Также, к концу 2011 года Elpida планирует начать массовое производство по технормам 25 нм микросхем DDR3 SDRAM плотностью 4 Гбит. Как ожидается, переход на новые нормативы производства памяти плотностью 4 Гбит позволит получить на 44% больше кристаллов с одной пластины, чем при использовании производства по технормам 30 нм. Кроме того, новый процесс 25 нм будет использован для поддержки дальнейшего развития Mobile RAMTM, являющейся основной продукцией Elpida.

Память, выпускаемая по нормам 25 нм, может поддерживать скорости выше DDR3-1866 (1866Mbps) и совместима со спецификацией DDR3L-1600 (1600Mbps), необходимое напряжении питания составляет 1,35 Вольта.

Как ожидается, производство и поставки образцов новой памяти DDR3 SDRAM плотностью 2-Гбит, изготовленной по технормам 25 нм, начнется в июле 2011 года.

Elpida продолжает быть лидером в отрасли DRAM. Компания использует инновационные дизайн и технологические процессы для производства высокоскоростной памяти DRAM с низкими энергопотреблением и стоимостью.

Характеристики новой продукции:

Part Number EDJ2104BFSE / EDJ2108BFSE
Manufacturing Process 25nm CMOS
Memory Density 2G-bit
Data Width x4-bit / x8-bit
Data Transfer Rate 1866Mbps and higher
Supply Voltage (VDD) 1.5V, 1.35V (Low voltage)
Operating Case Temperature Range (TC) 0 to 95°C

Реклама

Дискуссия

Добавить комментарий